二次离子质谱（SIMS）即通过高能量的一次离子束轰击样品表面，当这些带有几千电子伏特能量的一次离子轰击样品表面，会在轰击的区域引发一系列物理及化学过程，包括一次离子散射及表面原子、原子团、正负离子的溅射和表面化学反应等，产生二次离子，这些带电粒子经过质量分析分析后得到关于样品表面信息的质谱。
TOF-SIMS（Time-of-Flight Secondary Ion MassSpectrometry），即飞行时间二次离子质谱，是二次离子质谱（SIMS）技术的一个分类。它结合了二次离子质谱和飞行时间分析技术，具有高分辨率、高灵敏度、jingque质量测定等特点，是目前高技术领域广泛使用的分析技术，可以分析元素、同位素、分子等信息。
按照扫描方式，SIMS可以分为静态SIMS（SSIMS）和动态SIMS（DSIMS），静态SIMS集中在首个顶层单层上，主要提供分子表征；动态SIMS模式下，采用了从亚纳米到几十纳米的深度分辨率范围对痕量元素的主体组成和深度分布进行分析，配合表面扫描和离子溅射剥离，得到样品的微区元素、三维立体元素分布图，可以反映出样品内部的元素或分子结构分布情况。
例如，在半导体领域，它可以用于晶圆制造、半导体材料分析、表面污染检测等，帮助了解材料表面缺陷、掺杂浓度、杂质分布等信息。在材料科学领域，TOF-SIMS可以揭示薄膜材料、纳米材料、复合材料等表面的组成、结构、相变等微观信息。在生物医学领域，它用于药物输送系统、生物组织表面分析、细胞膜成分研究等，以了解生物分子在表面的分布、相互作用等信息。
TOF-SIMS作为一种高分辨、高灵敏度的表面分析技术，在多个学科领域发挥着重要作用，为科学研究和技术发展提供了强有力的支持。杭州微源检测提供德国ION-TOF的先进TOF-SIMS仪器检测服务，可以为客户提供完善的SIMS技术解决方案。
能够对于各行业样品检测掺杂剂和杂质深度剖面具有出色的检测限和深度分辨率，检测所有元素和同位素，包括氢元素，限可达ppm或更低的浓度，具有良好的深度分辨率（0.1-1nm），实现极为灵敏的表面元素成分分析，有效地解决检测过程中存在的顾虑。如您有相关需求欢迎致电咨询！
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