TOF-SIMS是一种灵敏的表面分析技术，采用一次的脉冲离子源激发固体表面的原子和分子基团脱附或离化，所产生的二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同而分离，从而测定离子质量，是一项具有极高分辨率的测量技术。
TOF-SIMS广泛应用于物理、化学、微电子、生物、制药、空间分析等领域，可提供电池、金属、矿物等材料表面的化学组成及形貌信息，主要包括质谱测试、面扫、深度剖析及对应的数据分析。
TOF-SIMS分析特点：
TOF-SIMS可分析所有导体、半导体、绝缘材料，对于材料及产品表面成分及分布，表面添加组分、杂质组分、表面多层结构或镀膜成分、表面异物残留(如污染物、颗粒物、腐蚀物等)、表面痕量掺杂、表面改性、表面缺陷(划痕、凸起)等有很好的表征能力。
TOF-SIMS主要用途：
TOF-SIMS被广泛应用于各种材料开发，材料剖析，多层膜或结构剖析与失效机理的研究分析，研发领域如半导体器件、纳米器件、生物医药、量子结构、能源电池材料等；高新技术如高分子材料、金属、半导体、玻璃陶瓷、纳米镀层、纸张、薄膜纤维等。
TOF-SIMS应用场景：
(1)当产品表面存在微小的异物，而常规的成分测试方法无法准确对异物进行定性定量分析，可选TOF-SIMS进行分析，其可分析≥10μm直径的异物成分。
(2)当产品表面膜层太薄，无法使用常规测试进行成分分析，可选TOF-SIMS进行分析，其可定性分析膜层的成分。
(3)当产品表面出现异物，但无法确定异物的种类，利用TOF-SIMS进行分析，不仅可分析出异物所含元素，还可分析出异物的分子式。
(4)当膜层与基材截面出现分层等问题，但无法观察到明显的异物痕迹，可使用TOF-SIMS分析表面痕量物质成分分析，从而确定截面是否被污染，检出限可达ppm级别。
