图1:PNI磁传感器元件及ASCI驱动芯片
图2是PNI磁感式(MI)传感器的实际简要应用电路。这是一个典型的LR振荡电路,其中,电感元件由传感器中的高磁导率磁芯和缠绕在其四周的螺旋管组成,电阻则需要用户提供。电路中还有一个用于状态切换的施密特触发器。
图2:PNI磁传感器典型应用电路图
当图中电路接通电源后,由物理规律可知,传感器处的磁场强度H由两部分组成:一部分是外界磁场强度HE;另一部分则是电流所产生的,大小与电流成正比,可表示为k0I(k0为常数)。可以得到如下关系式:
H=HE+k0I
在图2的工作电路中,假设施密特触发器的阈值电压为VH,并且当输入电压(A点电压)为0或某个小于阈值电压的值VL时,触发器的逻辑状态降为“1”,输出大小为VS的电压信号。在此条件下,电路中传感器两端的电压会逐渐增加,直到A点的电压上升到VH时,触发器的逻辑状态会转换为“0”,从而使得传感器上的电压又开始慢慢减小。如图3,上半部分所示为是施密特触发器逻辑状态波形图,下半部分为A点处的实际电压变化波形图。