电子元器件高温高湿性能检测 环境可靠性测试

以下是关于电子元器件高温高湿性能检测及环境可靠性测试的全面技术指南，涵盖测试标准、方法、关键参数及行业实践：

一、核心测试标准

二、典型测试项目与条件

1. 高温高湿稳态测试（THB）

• 条件：

• 温度：85℃±2℃

• 湿度：85%RH±5%RH

• 持续时间：500/1000小时（车规级要求2000小时）

• 监测参数：

• 漏电流变化率（ΔI≤10%）

• 功能失效时间（MTTF）

2. 温度循环+湿度（TCTH）

图表

代码

下载

-40℃,30min

25℃,10min

85℃/85%RH,2h

• 循环次数：50/100次（参考IPC-9701）

• 失效判据：焊点裂纹≥25%或参数漂移超±15%

3. 高压蒸煮测试（PCT）

• 严苛条件：

• 121℃/RH/2atm

• 96小时≈户外1年加速老化

• 适用对象：封装可靠性验证

三、关键检测设备

四、失效机理与检测方法

1. 常见失效模式

• 电化学迁移：金属枝晶生长（需做SEM+EDS分析）

• 腐蚀：硫/氯离子腐蚀（离子色谱仪检测）

• 分层：超声波扫描显微镜（SAT）检测

2. 关键检测技术

• 在线监测：

• 实时记录温湿度曲线（数据采样率≥1Hz）

• 四线法电阻测量（消除引线误差）

• 失效定位：

• 声发射检测（AE）定位微裂纹

• X射线断层扫描（CT）3D成像

五、行业应用差异