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张家港砷化镓芯片SEM表面分析 晶片表面损伤分析

更新:2024-05-05 08:59 发布者IP:180.108.65.82 浏览:0次
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砷化镓芯片SEM表面分析 晶片表面损伤分析
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产品详细介绍

砷化镓分析范围

砷化镓电池,砷化镓芯片,砷化镓太阳能电池,砷化镓衬底,砷化镓薄膜,砷化镓晶体,砷化镓半导体,砷化镓外延片等。

分析项目:晶片表面损伤分析,表面清洗及SEM表面分析,含量分析,晶胞结构分析,位错密度分析,表面缺陷分析,载流子浓度分析,红外吸收分析等。

砷化镓分析标准

GB/T 8757-2006砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法

GB/T 8758-2006砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

GB/T 8760-2020砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T11068-2006砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

GB/T 11093-2007液封直拉法砷化镓单晶及切割片

GB/T 11094-2020水平法砷化镓单晶及切割片

GB/T17170-2015半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

GB/T 18032-2000砷化镓单晶AB微缺陷检验方法

GB/T19199-2015半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

GB/T 20228-2006砷化镓单晶

GB/T 20228-2021砷化镓单晶

GB/T 25075-2010太阳能电池用砷化镓单晶

GB/T 30856-2014LED外延芯片用砷化镓衬底

GB/T 35305-2017太阳能电池用砷化镓单晶抛光片

SJ 3242-1989砷化镓外延片

SJ3248-1989重掺砷化镓和磷化铟载流子浓度的红外反射测试方法

SJ 3249.3-1989半绝缘砷化镓中铬浓度的红外吸收测试方法

SJ/T11488-2015半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法

SJ/T11490-2015低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法

SJ/T 11496-2015红外吸收法测量砷化镓中硼含量

SJ/T 11497-2015砷化镓晶片热稳定性的试验方法

SJ 20635-1997半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法

SJ20713-1998砷化镓用高钝镓中铜、锰、镁、钒、钛等12种杂质的等离子体光谱分析法

SJ20714-1998砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法

SJ 21536-2018微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片规范

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法定代表人周乐辉
注册资本1000
经营范围无损、环境、土壤、水质、金属材料、劳保用品等检测服务
公司简介江苏广分检测技术有限公司:核心价值观:安全第一,公正廉洁,尊长敬司,创新为魂,应用为重,励精图治。经营服务理念:用心服务,用先进科学检测技术为客户发现、消除火灾隐患,追求安全与经营效益的双赢,造福社会。企业行为准则:方法科学,诚信经营,坚持原则,为客户提供公正、科学、高效的优质服务。员工行为准则:诚实守信,尊长敬业;笑看得失,莫议人非;爱岗敬业,和合处世;技术精湛,服务至上;遵章守法,勇担责任。公 ...
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