张家港砷化镓芯片SEM表面分析 晶片表面损伤分析
更新：2025-01-28 08:59 编号：18654762 发布IP：180.108.65.82 浏览：32次
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详细介绍
砷化镓分析范围
砷化镓电池，砷化镓芯片，砷化镓太阳能电池，砷化镓衬底，砷化镓薄膜，砷化镓晶体，砷化镓半导体，砷化镓外延片等。
分析项目：晶片表面损伤分析，表面清洗及SEM表面分析，含量分析，晶胞结构分析，位错密度分析，表面缺陷分析，载流子浓度分析，红外吸收分析等。
砷化镓分析标准
GB/T 8757-2006砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
GB/T 8758-2006砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
GB/T 8760-2020砷化镓单晶位错密度的测试方法
GB/T11068-2006砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
GB/T 11093-2007液封直拉法砷化镓单晶及切割片
GB/T 11094-2020水平法砷化镓单晶及切割片
GB/T17170-2015半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
GB/T 18032-2000砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
GB/T19199-2015半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
GB/T 20228-2006砷化镓单晶
GB/T 20228-2021砷化镓单晶
GB/T 25075-2010太阳能电池用砷化镓单晶
GB/T 30856-2014LED外延芯片用砷化镓衬底
GB/T 35305-2017太阳能电池用砷化镓单晶抛光片
SJ 3242-1989砷化镓外延片
SJ3248-1989重掺砷化镓和磷化铟载流子浓度的红外反射测试方法
SJ 3249.3-1989半绝缘砷化镓中铬浓度的红外吸收测试方法
SJ/T11488-2015半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
SJ/T11490-2015低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
SJ/T 11496-2015红外吸收法测量砷化镓中硼含量
SJ/T 11497-2015砷化镓晶片热稳定性的试验方法
SJ 20635-1997半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法
SJ20713-1998砷化镓用高钝镓中铜、锰、镁、钒、钛等12种杂质的等离子体光谱分析法
SJ20714-1998砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法
SJ 21536-2018微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片规范
| 成立日期 | 2020年07月01日 | ||
| 法定代表人 | 周乐辉 | ||
| 注册资本 | 1000 | ||
| 经营范围 | 无损、环境、土壤、水质、金属材料、劳保用品等检测服务 | ||
| 公司简介 | 江苏广分检测技术有限公司：核心价值观：安全第一，公正廉洁，尊长敬司，创新为魂，应用为重，励精图治。经营服务理念：用心服务，用先进科学检测技术为客户发现、消除火灾隐患，追求安全与经营效益的双赢，造福社会。企业行为准则：方法科学，诚信经营，坚持原则，为客户提供公正、科学、高效的优质服务。员工行为准则：诚实守信，尊长敬业；笑看得失，莫议人非；爱岗敬业，和合处世；技术精湛，服务至上；遵章守法，勇担责任。公 ... | ||
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