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led外延片报价 杭州led外延片 杰生半导体有限公司

更新:2021-12-08 17:04 浏览:0次
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马鞍山杰生半导体有限公司
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产品详细介绍






UVCLED封装形式

在材料的选用上,UVCLED封装与一般LED有所不同。首先,选用石英玻璃是由于石英属于无机物,不会受紫外线的影响,且石英玻璃对于UVC波段的透过率高。其次,在散热基板方面,led外延片多少钱,由于UVCLED光电转换效率低,大部分转换成热量,所以一般采用导热率高的氮化铝散热基板。此外,杭州led外延片,UVC对胶水具有坏作用,因此,粘结玻璃和支架的胶水在耐紫外性能上的要求亦比一般LED封装高。

另值得注意的是,有部分厂商采用氧化铝散热基板。氮化铝和氧化铝基板都属于陶瓷基板,led外延片批发,两者主要区别在于:氮化铝的导热率比氧化铝高很多。其中,氮化铝导热率一般约为140W/mK-170W/mK,led外延片报价,而氧化铝导热率仅30W/mK左右。

氧化铝陶瓷一般呈现白色,导热率低,通常用于低功率产品。然而,氧化铝陶瓷脆性较大,相较于氮化铝更容易碎裂,因此在划片切割过程中容易出现崩角现象。氮化铝陶瓷一般呈现灰黑色,具有高导热率,通常用于大功率产品。另外,市面上也存在掺杂碳粉的氧化铝陶瓷,同样呈现灰黑色,但导热率更低。




什么是深紫外led灯珠固化灯?

深紫外LED灯珠固化灯是一种直接发作紫外光的半导体发光器材,发光波长为200nm至450nm某个波长的光源。能够分为两类:深紫外LED灯珠点光源和深紫外LED灯珠线面光源。

深紫外LED灯珠固化灯(2张)深紫外LED灯珠固化灯构成UVLED固化灯由夹在较薄GaN三明治构造中给一个或多个InGaN量i子阱构成,构成的有源区为覆层。经过改动InGaN量i子阱中InN-GaN的相对份额,发射波长可由紫光变到别的光。AlGaN经过改动AlN份额能用于制造UVLED中的覆层和量i子阱层,但这些器材的功率和成熟度较差。假如有源量i子阱层是GaN,与之相对是InGaN或AlGaN合金,则器材发射的光谱规模为350~370nm。

当蓝色InGaN发光二极管泵处短的电子脉冲时,则发作紫外线辐射。含铝的氮化物,格外是AlGaN和AlGaInN能够制造更短波长的器材,取得系列波长的UVLED。波长可达247nm的二极管现已商业化,根据氮化铝、可发射210nm紫外线辐射的LED已研发成功,250~270nm波段的UVLED也在大力研发中。









红外LED灯珠防静电注意事项:

所有接触 红外LED灯珠的设备及仪器必须接地;

所有接触红外LED灯珠的人员必须配戴防静电手腕带或防静电手套; 不可赤手拿取产品

如有红外LED灯珠有被静电损害,会显示一些不良特性,如漏电电流增加,静态顺向电压降低或上升,在低电流测试时不亮或发光不正常。

电性测试及产品使用:

测试 vf、亮度、波长时电流必须设为20ma,测试vr时ir设为10ua,测试ir时vr设为5v;

检测和使用红外LED灯珠时,必须给每个红外LED灯珠相同的电流即使用恒流源检测,才能保证检测亮度及其它特性的一致性;

红外LED灯珠 使用在环境温度为 -30 ℃ ~+60 ℃之间 ;

用分光分色好的产品时,不能把不同等级箱号(每包标签上有标识)的产品混合使用在同一个产品上,以免产生颜色及亮度差异,如确要混等级箱号使用,相邻等级箱号方可放在一起使用,但尽量避免。




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成立日期2016年12月14日
法定代表人梁旭东
注册资本6000万元
主营产品广东深紫外LED灯珠,紫外线杀菌灯珠,UV 灯珠
经营范围半导体光电器件的技术研发及生产;半导体光电器件、应用系统产品的销售及相关技术服务咨询;生产和销售UV-LED光固化模块及设备;UV-LED应用技术研发及应用服务,光固化应用系统的设计、安装及维护;半导体晶体薄膜生长设备、化合物半导体光电产品的研究开发、制造、批发,以及半导体晶体薄膜材料生长技术转让、技术咨询、技术服务;机械电器产品及零配件的制造与批发;自营或代理各类商品和技术的进出口业务(国家限定企业经营和禁止进出口的商品和技术除外);(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
公司简介 ...
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